从颗粒尺寸来说氮化硅微粉的颗粒一般为亚微米级，而氮化硅磨粉粉则根据不同的用途有很大的尺寸范围。金刚砂的晶体也同金刚石一样，在光照下，它可以发生各种折射，发出耀眼的光辉。金刚砂的硬度达到莫氏9度（金刚石为10度），所以它也是世界上硬度大的材料之一。氮化硅至少有70种结晶型态。α-氮化硅为比较常见的一种同质异晶物，在高于2000°C高温下形成，具有六角晶系结晶构造（似纤维锌矿）。β-氮化硅，立方晶系结构，与钻石相似，则在低于2000°C生成。虽然在异相触媒担体的应用上，因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目，但直至今日，此型态尚未有商业上之应用。
氮化硅在90-1000K温度范围内的迁移率具有与其他大多数半导体不同的行为。N型材料的霍尔迁移率在200K时约具有10c㎡/V.s的大值，在1000K时大约降到2.5c㎡/V.s、90K时接近于零；P型材料的大值不明显，200K时的迁移率值为70c㎡/V.s，1000K时为30c㎡/V.s。氮化硅电工材料高温热电能|量转换的高温发热元件，利用其非线性导电物性作成的避雷器、继电器及SiC压MIN感器等。氮化硅是一种非常好的物质同时其特性也是非常的多的，氮化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把氮化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高JI耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。
BeO陶瓷基板虽然具有较高的热导率和较低的介电常数，满足散热的要求，但是由于其具有毒性，对工作人员的健康产生影响，不利于大规模应用。AlN陶瓷具有较高的热导率，被认为是散热基板的候选材料。但AlN陶瓷抗热震性能差，易潮解，强度韧性较低，不利于在复杂的环境中工作，难以保证其应用的可靠性。SiC陶瓷虽然具有很高的热导率，但是由于其具有较高的介电损耗和较低的击穿电压，不利于应用在高频高压的工作环境中。
氮化硅是国内外公认兼具高导热、高可靠性等综合性能的陶瓷基板材料。尽管Si3N4陶瓷基板具有略低于AlN的导热性，但其抗弯强度、断裂韧性都可达到AlN的2倍以上;同时，Si3N4陶瓷的热导率远大于Al2O3陶瓷;此外，Si3N4陶瓷基板的热膨胀系数与第3代半导体衬底SiC晶体接近，使其能够与SiC晶体材料匹配性更稳定。这使Si3N4成为第3代SiC半导体功率器件高导热基板材料的。
如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：
利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。
等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。
氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。
先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅，然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解产生的。
以上信息由专业从事耐火砖常年回收的佰润商贸于2024/4/13 11:09:29发布
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